این رمها دارای 1.6 گیگابایت بر ثانیه سرعت خواندن و نوشتن هستند.کمپانی توشیبا اعلام کرد که نوع جدیدی از حافظه با نام FeRAM  ابداع کرده است . (Ferroelectric Random Access Memory) این اولین نمونه از این رمهاست که ادعا میشود سریع ترین حافظه های غیر فرار(non-volatile) محسوب میشوند  . در حالی که هر چیپ به تنهایی 128 مگابایت است ولی کارایی شگفت آوری دارد که همانطور که گفتیم میتواند به سرعت خواندن و نوشتنی برابر 1.6  گیگابایت بر ثانیه دست یابد. البته هنوز زمان چندانی از ابداع این تکنولوژی نمیگذرد و باید منتظر تکمیل و بهبود آن باشیم . این نمونه ی اولین با استفاده از تکنولوژی 130 نانومتر هنوز راه بسیاری برای پیشرفت دارد.
آنچه این اعلان را جالب تر میکند امتیازهای بالا و شگفت آور این رم در تست های کارایی است . در نمونه اولین FeRAM از چیپ های DDR2  استفاده شده که آن را با سیستم های امروزی مطابق تر میکند.

به نظر میرسد FeRAM ها در آینده کارایی بسیار بالاتری نسبت به DRAM ها داشته باشند آنها میتوانند داده را حتی زمانی که منبع تغذیه خاموش باشد در خود نگهداری کنند و این ویژگی آنها را مناسب برای استفاده در تولیدات و کالاهای سیار (mobile devices)  می نماید .توشیبا هنوز راه زیادی تا تکمیل این محصول و روانه سازی آن به بازار در پیش دارد ، اما انتظار میرود ابداع پرطرفداری محسوب شود